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Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - Polymer-metal CMP (IZM-30) - PR915311-2590-P

Awarded Contract award

Key facts

Winner
Applied Materials GmbH
Buyer
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Where
Germany Berlin
Procedure
Negotiated procedure The buyer selects candidates, then negotiates the offers before choosing. Full entry Above the EU threshold A contract large enough that EU-wide rules apply and it must be published on TED. Full entry
CPV code The EU's common vocabulary for what is being bought: an eight-digit code every notice carries. Full entry
31712100 Microelectronic machinery and apparatus
Original language
German
Source
via TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), verified 1 month ago
Notice number
120618-2026
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  2. Awarded pending

Description

Polymer-metal CMP (IZM-30) 1 Stück: Polymer-metal CMP System Mit dem Fortschritt des 2,5D/3D-Packaging und insbesondere mit der heterogenen Integration verschiedener Materialien gibt es mehrere W2W- oder D2W-Bonding-Technologien oder die Planarisierung von RDLs mit hoher Dichte (l/s 1µm), bei denen verschiedene Materialien wie Si, SiO, SiN, Polymere und Metalle zum Einsatz kommen können und bei denen die Oberflächenrauhigkeit oder -topografie von wesentlicher Bedeutung ist. Diese Oberflächen müssen durch chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) vorbereitet werden, um eine Oberfläche mit einer Rauheit von weniger als 0,5 nm zu erzeugen, damit die verschiedenen Materialien ordnungsgemäß miteinander verbunden werden können. Bei RDLs mit L/S im Bereich von 1 µm muss dagegen jede Schicht planarisiert werden, um die Oberflächentopografie zu minimieren und das Stapeln von RDL-Schichten auf 4-6 Schichten zu ermöglichen. Das Waferwerkzeug sollte in der Lage sein, Wafer, Metall und dielektrische Planarisierung zu handhaben, und die benötigten unterschiedlichen Aufschlämmungen sollten in getrennten Kammern entnommen werden können. Der Planarisierungskopf sollte flexible Anforderungen in Bezug auf die TTV/Warpage der Wafer und die Zielmaterialien (Metall und anorganisches/organisches Dielektrikum) erfüllen, z. B. unterschiedliche Druckzonen auf dem CMP-Kopf. Das Wafer-Basismaterial ist nicht auf Si beschränkt, es kann auch Glas oder ein anderes Halbleitermaterial sein. Für Fusionsbonding-Grenzflächen wie SiO-SiO oder Polymer-Polymer-Bonding sollte eine ausreichende Rauheit über den Wafer unter oder gleich Ra=0,5nm (im Falle der SiO-Grenzfläche) mit dem Werkzeug realisierbar sein. Für den Fall der RDL-Planarisierung muss das Werkzeug Polymer und Metall gleichzeitig so weit planarisieren, dass eine Damaszener-Bearbeitung möglich ist. Daher darf das Metall nicht übermäßig geglättet werden und das Metall darf nicht über das Dielektrikum schmieren. Optionen: - Die Maschine sollte eine SECS/GEM-Schnittstelle bieten - Möglichkeit, Kassetten mit weniger als 25 Slots und größerem Abstand zwischen den einzelnen Slots zu laden (Roboter-Teaching und möglicher Maschinen-/Software-Neustart erlaubt).

Official source

Source: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

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