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Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - Polymer-metal CMP (IZM-30) - PR915311-2590-P

Vergeben Vergabebekanntmachung

Eckdaten

Zuschlagsempfänger
Applied Materials GmbH
Auftraggeber
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Ort
Deutschland Berlin
Verfahren
Verhandlungsverfahren Der Auftraggeber wählt Bewerber aus und verhandelt dann über die Angebote, bevor er entscheidet. Ganzer Eintrag Oberhalb des EU-Schwellenwerts Ein Auftrag, der groß genug ist, dass EU-weite Regeln gelten und er auf TED erscheinen muss. Ganzer Eintrag
CPV-Code Das EU-weite Vokabular für den Beschaffungsgegenstand: ein achtstelliger Code in jeder Bekanntmachung. Ganzer Eintrag
31712100 Mikroelektronische Maschinen und Geräte
Originalsprache
Deutsch
Quelle
über TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), geprüft vor 1 Monat
Bekanntmachungsnummer
120618-2026
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  1. Veröffentlicht
  2. Vergeben ausstehend

Beschreibung

Polymer-metal CMP (IZM-30) 1 Stück: Polymer-metal CMP System Mit dem Fortschritt des 2,5D/3D-Packaging und insbesondere mit der heterogenen Integration verschiedener Materialien gibt es mehrere W2W- oder D2W-Bonding-Technologien oder die Planarisierung von RDLs mit hoher Dichte (l/s 1µm), bei denen verschiedene Materialien wie Si, SiO, SiN, Polymere und Metalle zum Einsatz kommen können und bei denen die Oberflächenrauhigkeit oder -topografie von wesentlicher Bedeutung ist. Diese Oberflächen müssen durch chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) vorbereitet werden, um eine Oberfläche mit einer Rauheit von weniger als 0,5 nm zu erzeugen, damit die verschiedenen Materialien ordnungsgemäß miteinander verbunden werden können. Bei RDLs mit L/S im Bereich von 1 µm muss dagegen jede Schicht planarisiert werden, um die Oberflächentopografie zu minimieren und das Stapeln von RDL-Schichten auf 4-6 Schichten zu ermöglichen. Das Waferwerkzeug sollte in der Lage sein, Wafer, Metall und dielektrische Planarisierung zu handhaben, und die benötigten unterschiedlichen Aufschlämmungen sollten in getrennten Kammern entnommen werden können. Der Planarisierungskopf sollte flexible Anforderungen in Bezug auf die TTV/Warpage der Wafer und die Zielmaterialien (Metall und anorganisches/organisches Dielektrikum) erfüllen, z. B. unterschiedliche Druckzonen auf dem CMP-Kopf. Das Wafer-Basismaterial ist nicht auf Si beschränkt, es kann auch Glas oder ein anderes Halbleitermaterial sein. Für Fusionsbonding-Grenzflächen wie SiO-SiO oder Polymer-Polymer-Bonding sollte eine ausreichende Rauheit über den Wafer unter oder gleich Ra=0,5nm (im Falle der SiO-Grenzfläche) mit dem Werkzeug realisierbar sein. Für den Fall der RDL-Planarisierung muss das Werkzeug Polymer und Metall gleichzeitig so weit planarisieren, dass eine Damaszener-Bearbeitung möglich ist. Daher darf das Metall nicht übermäßig geglättet werden und das Metall darf nicht über das Dielektrikum schmieren. Optionen: - Die Maschine sollte eine SECS/GEM-Schnittstelle bieten - Möglichkeit, Kassetten mit weniger als 25 Slots und größerem Abstand zwischen den einzelnen Slots zu laden (Roboter-Teaching und möglicher Maschinen-/Software-Neustart erlaubt).

Amtliche Quelle

Quelle: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Prüfen Sie alle Angaben stets in der amtlichen Bekanntmachung.

Zuletzt mit TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) abgeglichen vor 1 Monat

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