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Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - Polymer-metal CMP (IZM-30) - PR915311-2590-P

Aggiudicata Avviso di aggiudicazione

Dati principali

Aggiudicatario
Applied Materials GmbH
Stazione appaltante
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Dove
Germania Berlin
Procedura
Procedura negoziata La stazione appaltante seleziona i candidati e poi negozia le offerte prima di scegliere. Voce completa Sopra la soglia europea Un appalto abbastanza grande perché si applichino le regole europee e vada pubblicato su TED. Voce completa
Codice CPV Il vocabolario comune dell'UE per l'oggetto dell'acquisto: un codice a otto cifre presente in ogni bando. Voce completa
31712100 Macchinari e apparecchiature microelettronici
Lingua originale
Tedesco
Fonte
tramite TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), verificato 1 mese fa
Numero dell'avviso
120618-2026
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  1. Pubblicata
  2. Aggiudicata in attesa

Descrizione

Polymer-metal CMP (IZM-30) 1 Stück: Polymer-metal CMP System Mit dem Fortschritt des 2,5D/3D-Packaging und insbesondere mit der heterogenen Integration verschiedener Materialien gibt es mehrere W2W- oder D2W-Bonding-Technologien oder die Planarisierung von RDLs mit hoher Dichte (l/s 1µm), bei denen verschiedene Materialien wie Si, SiO, SiN, Polymere und Metalle zum Einsatz kommen können und bei denen die Oberflächenrauhigkeit oder -topografie von wesentlicher Bedeutung ist. Diese Oberflächen müssen durch chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) vorbereitet werden, um eine Oberfläche mit einer Rauheit von weniger als 0,5 nm zu erzeugen, damit die verschiedenen Materialien ordnungsgemäß miteinander verbunden werden können. Bei RDLs mit L/S im Bereich von 1 µm muss dagegen jede Schicht planarisiert werden, um die Oberflächentopografie zu minimieren und das Stapeln von RDL-Schichten auf 4-6 Schichten zu ermöglichen. Das Waferwerkzeug sollte in der Lage sein, Wafer, Metall und dielektrische Planarisierung zu handhaben, und die benötigten unterschiedlichen Aufschlämmungen sollten in getrennten Kammern entnommen werden können. Der Planarisierungskopf sollte flexible Anforderungen in Bezug auf die TTV/Warpage der Wafer und die Zielmaterialien (Metall und anorganisches/organisches Dielektrikum) erfüllen, z. B. unterschiedliche Druckzonen auf dem CMP-Kopf. Das Wafer-Basismaterial ist nicht auf Si beschränkt, es kann auch Glas oder ein anderes Halbleitermaterial sein. Für Fusionsbonding-Grenzflächen wie SiO-SiO oder Polymer-Polymer-Bonding sollte eine ausreichende Rauheit über den Wafer unter oder gleich Ra=0,5nm (im Falle der SiO-Grenzfläche) mit dem Werkzeug realisierbar sein. Für den Fall der RDL-Planarisierung muss das Werkzeug Polymer und Metall gleichzeitig so weit planarisieren, dass eine Damaszener-Bearbeitung möglich ist. Daher darf das Metall nicht übermäßig geglättet werden und das Metall darf nicht über das Dielektrikum schmieren. Optionen: - Die Maschine sollte eine SECS/GEM-Schnittstelle bieten - Möglichkeit, Kassetten mit weniger als 25 Slots und größerem Abstand zwischen den einzelnen Slots zu laden (Roboter-Teaching und möglicher Maschinen-/Software-Neustart erlaubt).

Fonte ufficiale

Fonte: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Verifica sempre i dettagli nell'avviso ufficiale.

Ultima verifica su TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) 1 mese fa

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