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Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - Polymer-metal CMP (IZM-30) - PR915311-2590-P

Attribué Avis d'attribution

Informations clés

Attributaire
Applied Materials GmbH
Acheteur public
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Lieu
Allemagne Berlin
Procédure
Procédure négociée L'acheteur sélectionne des candidats, puis négocie les offres avant de choisir. Entrée complète Au-dessus du seuil européen Un marché assez important pour que les règles européennes s'appliquent et qu'il paraisse sur TED. Entrée complète
Code CPV Le vocabulaire commun de l'UE pour ce qui est acheté : un code à huit chiffres présent dans chaque avis. Entrée complète
31712100 Machines et appareils microélectroniques
Langue d'origine
Allemand
Source
via TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), vérifié il y a 1 mois
Numéro de l'avis
120618-2026
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  1. Publié
  2. Attribué en attente

Description

Polymer-metal CMP (IZM-30) 1 Stück: Polymer-metal CMP System Mit dem Fortschritt des 2,5D/3D-Packaging und insbesondere mit der heterogenen Integration verschiedener Materialien gibt es mehrere W2W- oder D2W-Bonding-Technologien oder die Planarisierung von RDLs mit hoher Dichte (l/s 1µm), bei denen verschiedene Materialien wie Si, SiO, SiN, Polymere und Metalle zum Einsatz kommen können und bei denen die Oberflächenrauhigkeit oder -topografie von wesentlicher Bedeutung ist. Diese Oberflächen müssen durch chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) vorbereitet werden, um eine Oberfläche mit einer Rauheit von weniger als 0,5 nm zu erzeugen, damit die verschiedenen Materialien ordnungsgemäß miteinander verbunden werden können. Bei RDLs mit L/S im Bereich von 1 µm muss dagegen jede Schicht planarisiert werden, um die Oberflächentopografie zu minimieren und das Stapeln von RDL-Schichten auf 4-6 Schichten zu ermöglichen. Das Waferwerkzeug sollte in der Lage sein, Wafer, Metall und dielektrische Planarisierung zu handhaben, und die benötigten unterschiedlichen Aufschlämmungen sollten in getrennten Kammern entnommen werden können. Der Planarisierungskopf sollte flexible Anforderungen in Bezug auf die TTV/Warpage der Wafer und die Zielmaterialien (Metall und anorganisches/organisches Dielektrikum) erfüllen, z. B. unterschiedliche Druckzonen auf dem CMP-Kopf. Das Wafer-Basismaterial ist nicht auf Si beschränkt, es kann auch Glas oder ein anderes Halbleitermaterial sein. Für Fusionsbonding-Grenzflächen wie SiO-SiO oder Polymer-Polymer-Bonding sollte eine ausreichende Rauheit über den Wafer unter oder gleich Ra=0,5nm (im Falle der SiO-Grenzfläche) mit dem Werkzeug realisierbar sein. Für den Fall der RDL-Planarisierung muss das Werkzeug Polymer und Metall gleichzeitig so weit planarisieren, dass eine Damaszener-Bearbeitung möglich ist. Daher darf das Metall nicht übermäßig geglättet werden und das Metall darf nicht über das Dielektrikum schmieren. Optionen: - Die Maschine sollte eine SECS/GEM-Schnittstelle bieten - Möglichkeit, Kassetten mit weniger als 25 Slots und größerem Abstand zwischen den einzelnen Slots zu laden (Roboter-Teaching und möglicher Maschinen-/Software-Neustart erlaubt).

Source officielle

Source : TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Vérifiez toujours les détails dans l'avis officiel.

Dernière vérification auprès de TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) il y a 1 mois

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