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Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - Polymer-metal CMP (IZM-30) - PR915311-2590-P

Adjudicada Adjudicación de contrato

Datos clave

Adjudicatario
Applied Materials GmbH
Órgano de contratación
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Dónde
Alemania Berlin
Procedimiento
Procedimiento negociado El órgano de contratación selecciona candidatos y negocia después las ofertas antes de decidir. Entrada completa Por encima del umbral europeo Un contrato lo bastante grande para que se apliquen las normas europeas y deba publicarse en TED. Entrada completa
Código CPV El vocabulario común de la UE para lo que se compra: un código de ocho cifras que lleva todo anuncio. Entrada completa
31712100 Maquinaria y aparatos microelectrónicos
Idioma original
Alemán
Fuente
vía TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), verificado hace 1 mes
Número de anuncio
120618-2026
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  1. Publicada
  2. Adjudicada pendiente

Descripción

Polymer-metal CMP (IZM-30) 1 Stück: Polymer-metal CMP System Mit dem Fortschritt des 2,5D/3D-Packaging und insbesondere mit der heterogenen Integration verschiedener Materialien gibt es mehrere W2W- oder D2W-Bonding-Technologien oder die Planarisierung von RDLs mit hoher Dichte (l/s 1µm), bei denen verschiedene Materialien wie Si, SiO, SiN, Polymere und Metalle zum Einsatz kommen können und bei denen die Oberflächenrauhigkeit oder -topografie von wesentlicher Bedeutung ist. Diese Oberflächen müssen durch chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) vorbereitet werden, um eine Oberfläche mit einer Rauheit von weniger als 0,5 nm zu erzeugen, damit die verschiedenen Materialien ordnungsgemäß miteinander verbunden werden können. Bei RDLs mit L/S im Bereich von 1 µm muss dagegen jede Schicht planarisiert werden, um die Oberflächentopografie zu minimieren und das Stapeln von RDL-Schichten auf 4-6 Schichten zu ermöglichen. Das Waferwerkzeug sollte in der Lage sein, Wafer, Metall und dielektrische Planarisierung zu handhaben, und die benötigten unterschiedlichen Aufschlämmungen sollten in getrennten Kammern entnommen werden können. Der Planarisierungskopf sollte flexible Anforderungen in Bezug auf die TTV/Warpage der Wafer und die Zielmaterialien (Metall und anorganisches/organisches Dielektrikum) erfüllen, z. B. unterschiedliche Druckzonen auf dem CMP-Kopf. Das Wafer-Basismaterial ist nicht auf Si beschränkt, es kann auch Glas oder ein anderes Halbleitermaterial sein. Für Fusionsbonding-Grenzflächen wie SiO-SiO oder Polymer-Polymer-Bonding sollte eine ausreichende Rauheit über den Wafer unter oder gleich Ra=0,5nm (im Falle der SiO-Grenzfläche) mit dem Werkzeug realisierbar sein. Für den Fall der RDL-Planarisierung muss das Werkzeug Polymer und Metall gleichzeitig so weit planarisieren, dass eine Damaszener-Bearbeitung möglich ist. Daher darf das Metall nicht übermäßig geglättet werden und das Metall darf nicht über das Dielektrikum schmieren. Optionen: - Die Maschine sollte eine SECS/GEM-Schnittstelle bieten - Möglichkeit, Kassetten mit weniger als 25 Slots und größerem Abstand zwischen den einzelnen Slots zu laden (Roboter-Teaching und möglicher Maschinen-/Software-Neustart erlaubt).

Fuente oficial

Fuente: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

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Última verificación con TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) hace 1 mes

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