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Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - 300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132)

Original Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - 300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132) - PR1184859-3460-P

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Offenes Rennen

Kein Anbieter dominiert: 13 verschiedene Unternehmen haben die letzten 16 vergleichbaren Aufträge dieses Auftraggebers in 5 Jahren gewonnen. Ein wirklich offenes Rennen.

Basierend auf 16 vergleichbaren Zuschlägen dieses Auftraggebers in dieser Branche über 5 Jahre. Jedes Urteil wird vor dem Ergebnis festgehalten und an der Zuschlagsbekanntmachung gemessen. Wie wir uns selbst bewerten.

Zusammenfassung

Maschinell erstellte Zusammenfassung

Ein deutscher öffentlicher Auftraggeber beschafft ein vollständig automatisiertes 300-mm-BEOL-Belichtungssystem mit großem Bildfeld (IZM-132). Es handelt sich um ein i-Line-Belichtungssystem, das FEOL- und Backend-Lithografie verbindet und auf ultrahochdichte BEOL-Strukturen im Sub-µm-Bereich abzielt, etwa Verdrahtungen auf Vorder- und Rückseite für 2,5D/3D-Integration und Chiplets. Angestrebt werden Auflösungen deutlich unter 800 nm L/S, langfristig bis 500 nm L/S, mit Overlay-Genauigkeit unter 100 nm, Front- und Back-Ausrichtung sowie variabler Schärfentiefe für dicken Resist. Optionale Features umfassen IR-basierte Rückseiten-Ausrichtung, Vorausrichtung und erweiterten Verformungsbereich für Wafer. Kein geschätzter Auftragswert, keine Frist und keine Verfahrensdetails sind im Ausgangstext angegeben.

Beschreibung

1 Stück: 300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132) Ein 300-mm-i-Line-Belichtungssystem mit großem Bildfeld, das die Verbindung zwischen der FEOL-Lithografie und der Backend-Lithografie herstellt und auf die Herstellung von ultra-hochdichten BEOL-Strukturen im Sub-µm-Bereich abzielt, wie z. B. Verdrahtungen und Verbindungen auf der Vorder- und Rückseite für 2,5D/3D-QMI- und Chiplet-Integration. Mit dieser Anlage lassen sich ultrahochdichte BEOL-ähnliche Verdrahtungen auf großflächigen, Chiplet-basierten 2,5D/3D-Wafer-Level-Systemen und quasi-monolithischen integrierten Gehäusearchitekturen realisieren. Sie ermöglicht Integrationsdichten auf dem neuesten Stand der Technik. Das i-Line-Belichtungssystem mit großem Feld bildet die Verbindung zwischen FEOL-Lithografie und Backend-Lithografie durch eine Optik mit mittlerer numerischer Apertur (NA), größtmöglicher Feldgröße und variabler Schärfentiefe. Es zielt auf Auflösungen von deutlich unter <800 nm L/S ab, um den Weg für Auflösungen bis hinunter zu 500 nm L/S mit einer Overlay-Genauigkeit von <100 nm zu ebnen. Es verfügt über die Fähigkeit zur Front- und Back-Ausrichtung zur Realisierung von 3D-Systemen, zur Steuerung des Belichtungsfokus sowie über eine variable Schärfentiefe für die Anwendung von dickem Resist im Bereich der Redistribution-Verdrahtung und µ-Interconnects. Optionale Features: - Extremer Verformungs- und Durchbiegungsbereich >1500 .. 2500 µm (LV-Pos.1.24) IR-basierte Ausrichtung auf der Rückseite (Reflexionsmodus) mit einer Überlappung von ≤500 nm (3 Sigma), unerlässlich für Through-Silicon-Vias (TSVs) und gestapelte Wafer-Anwendungen (LV-Pos.1.81) - Vorausrichtung Korrektur von Mitten- und Rotationsfehlern bei Verschiebungen der Ausrichtungsmarken auf gestapelten Wafern (Si/Si) und (Glas/Si), um Verschiebungen beim Wafer-Bonding auszugleichen, was eine Ausrichtung innerhalb des erforderlichen Sichtfelds des Belichtungsgeräts ermöglicht (bitte Lösung erläutern) (LV-Pos.1.85) - Einzigartiges musterbasiertes Erkennungssystem (entweder diffraktionsbasiert oder bildbasiert), um flexible Ausrichtungsmarken für die Ausrichtung zu ermöglichen (kann Cognex-Mustererkennung oder ähnliches sein) (LV-Pos.1.87) - Integrationsschema / Option für Grob- und Feinausrichtung (z. B. Grobausrichtung mit Mustererkennung zum Ausgleich von Verschiebungen beim Wafer-Bonding, Feinausrichtung mit diffraktionsbasierter Ausrichtungsmarke) (LV-Pos.1.88) - Suche nach Grobausrichtungsmarken im Sichtfeld (z. B. FoV 1500 x 1200 µm), um einen Suchbereich von mehreren Millimetern zu ermöglichen; eine Korrektur mithilfe einer Vorausrichtungsstufe kann ebenfalls eine Option sein --> bitte Lösung erläutern (LV-Pos.1.89)

Amtliche Quelle

Quelle: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Prüfen Sie alle Angaben stets in der amtlichen Bekanntmachung.

Zuletzt mit TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) abgeglichen vor 1 Monat

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Wer die Aufträge dieses Auftraggebers in diesem Sektor gewöhnlich gewinnt

Unternehmen Zuschläge Vergebenes Volumen Letzter Zuschlag
EKRA Automatisierungssysteme GmbH 2 k. A. Jul 2026
EV Group E. Thallner GmbH 2 k. A. Jul 2026
Veeco GmbH 2 k. A. Mai 2026
Applied Materials GmbH 1 k. A. Feb 2026
Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. 1 k. A. Aug 2026

Grundlage: 16 Vergaben mit verknüpftem Unternehmensprofil aus den letzten 5 Jahren.

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