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Aperlena

Germania - Macchine e apparecchiature microelettroniche - Sistema di esposizione BEOL a gran campo da 300 mm, completamente automatizzato (IZM-132)

Originale Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - 300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132) - PR1184859-3460-P

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Il Verdetto Aperlena

Corsa aperta

Nessun fornitore domina: 13 aziende diverse si sono aggiudicate gli ultimi 16 contratti comparabili di questa stazione appaltante in 5 anni. Una corsa davvero aperta.

Basato su 16 aggiudicazioni comparabili di questa stazione appaltante nel settore in 5 anni. Ogni verdetto viene registrato prima dell'esito e confrontato con l'avviso di aggiudicazione. Come ci valutiamo.

Sintesi

Sintesi generata automaticamente

Un acquirente pubblico tedesco acquista un sistema di esposizione BEOL a gran campo da 300 mm, completamente automatizzato (IZM-132). Si tratta di uno strumento di litografia i-line a gran campo che collega la litografia FEOL e la litografia di backend, destinato a strutture BEOL submicroniche ad altissima densità, come interconnessioni frontali e posteriori per integrazione 2,5D/3D e chiplet. Gli obiettivi includono risoluzioni ben al di sotto di 800 nm L/S, fino a 500 nm L/S, con accuratezza di sovrapposizione inferiore a 100 nm, allineamento frontale e posteriore e profondità di messa a fuoco variabile per resiste spesse. Le opzioni comprendono allineamento posteriore a infrarossi e preallineamento.

Descrizione

1 Stück: 300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132) Ein 300-mm-i-Line-Belichtungssystem mit großem Bildfeld, das die Verbindung zwischen der FEOL-Lithografie und der Backend-Lithografie herstellt und auf die Herstellung von ultra-hochdichten BEOL-Strukturen im Sub-µm-Bereich abzielt, wie z. B. Verdrahtungen und Verbindungen auf der Vorder- und Rückseite für 2,5D/3D-QMI- und Chiplet-Integration. Mit dieser Anlage lassen sich ultrahochdichte BEOL-ähnliche Verdrahtungen auf großflächigen, Chiplet-basierten 2,5D/3D-Wafer-Level-Systemen und quasi-monolithischen integrierten Gehäusearchitekturen realisieren. Sie ermöglicht Integrationsdichten auf dem neuesten Stand der Technik. Das i-Line-Belichtungssystem mit großem Feld bildet die Verbindung zwischen FEOL-Lithografie und Backend-Lithografie durch eine Optik mit mittlerer numerischer Apertur (NA), größtmöglicher Feldgröße und variabler Schärfentiefe. Es zielt auf Auflösungen von deutlich unter <800 nm L/S ab, um den Weg für Auflösungen bis hinunter zu 500 nm L/S mit einer Overlay-Genauigkeit von <100 nm zu ebnen. Es verfügt über die Fähigkeit zur Front- und Back-Ausrichtung zur Realisierung von 3D-Systemen, zur Steuerung des Belichtungsfokus sowie über eine variable Schärfentiefe für die Anwendung von dickem Resist im Bereich der Redistribution-Verdrahtung und µ-Interconnects. Optionale Features: - Extremer Verformungs- und Durchbiegungsbereich >1500 .. 2500 µm (LV-Pos.1.24) IR-basierte Ausrichtung auf der Rückseite (Reflexionsmodus) mit einer Überlappung von ≤500 nm (3 Sigma), unerlässlich für Through-Silicon-Vias (TSVs) und gestapelte Wafer-Anwendungen (LV-Pos.1.81) - Vorausrichtung Korrektur von Mitten- und Rotationsfehlern bei Verschiebungen der Ausrichtungsmarken auf gestapelten Wafern (Si/Si) und (Glas/Si), um Verschiebungen beim Wafer-Bonding auszugleichen, was eine Ausrichtung innerhalb des erforderlichen Sichtfelds des Belichtungsgeräts ermöglicht (bitte Lösung erläutern) (LV-Pos.1.85) - Einzigartiges musterbasiertes Erkennungssystem (entweder diffraktionsbasiert oder bildbasiert), um flexible Ausrichtungsmarken für die Ausrichtung zu ermöglichen (kann Cognex-Mustererkennung oder ähnliches sein) (LV-Pos.1.87) - Integrationsschema / Option für Grob- und Feinausrichtung (z. B. Grobausrichtung mit Mustererkennung zum Ausgleich von Verschiebungen beim Wafer-Bonding, Feinausrichtung mit diffraktionsbasierter Ausrichtungsmarke) (LV-Pos.1.88) - Suche nach Grobausrichtungsmarken im Sichtfeld (z. B. FoV 1500 x 1200 µm), um einen Suchbereich von mehreren Millimetern zu ermöglichen; eine Korrektur mithilfe einer Vorausrichtungsstufe kann ebenfalls eine Option sein --> bitte Lösung erläutern (LV-Pos.1.89)

Fonte ufficiale

Fonte: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Verifica sempre i dettagli nell'avviso ufficiale.

Ultima verifica su TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) 1 mese fa

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Profilo completo del committente

87 gare aperte in questo momento

Chi si aggiudica di solito i contratti di questo committente in questo settore

Impresa Aggiudicazioni Importo totale aggiudicato Ultima aggiudicazione
EKRA Automatisierungssysteme GmbH 2 n/d lug 2026
EV Group E. Thallner GmbH 2 n/d lug 2026
Veeco GmbH 2 n/d mag 2026
Applied Materials GmbH 1 n/d feb 2026
Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. 1 n/d ago 2026

Sulla base di 16 aggiudicazioni con profilo aziendale collegato negli ultimi 5 anni.

Cronologia delle modifiche

Ogni volta che una fonte ufficiale ha ripubblicato questo bando con contenuti diversi. Monitoriamo tutte le fonti che indicizziamo, comprese le copie regionali dello stesso bando.

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    • Oggetto e criteri: La descrizione è stata ampliata. Rileggila prima di partecipare.

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