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Deutschland - Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke - Secondary ion mass spectrometer (SIMS) - PR1195891-2050-W

Geschlossen Auftragsbekanntmachung

Eckdaten

Geschlossen
Auftraggeber
Fraunhofer-Gesellschaft, Einkauf B12
Ort
Deutschland Freiburg
Verfahren
Offenes Verfahren Jeder darf in einem Schritt ein Angebot abgeben, ohne Vorauswahl. Ganzer Eintrag Oberhalb des EU-Schwellenwerts Ein Auftrag, der groß genug ist, dass EU-weite Regeln gelten und er auf TED erscheinen muss. Ganzer Eintrag
CPV-Code Das EU-weite Vokabular für den Beschaffungsgegenstand: ein achtstelliger Code in jeder Bekanntmachung. Ganzer Eintrag
42990000 Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke
Originalsprache
Deutsch
Quelle
über TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), geprüft vor 1 Monat
Bekanntmachungsnummer
583241-2026
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  1. Veröffentlicht
  2. Frist 30 Tage offen
  3. Vergeben ausstehend

Zusammenfassung

Maschinell erstellte Zusammenfassung

Das Fraunhofer IAF in Deutschland beabsichtigt die Beschaffung eines Sekundärionen-Massenspektrometers (SIMS), eines Stück. Das Instrument soll eine hochempfindliche, tiefenaufgelöste chemische Analyse von Halbleitermaterialien und -strukturen mit hoher Tiefenauflösung und hohem Massenauflösungsvermögen ermöglichen. Es dient der präzisen Dotierungs- und Verunreinigungsprofilierung sowie der genauen Bestimmung von Schichtdicke und Homogenität, mit Fokus auf fortgeschrittene III-V- und diamantbasierte Bauelementstrukturen und epitaktische Schichten, einschließlich 150-mm-Substrate, zur Unterstützung von Prozessentwicklung, Qualitätskontrolle und Optimierung. Interessierte Anbieter sollten die offiziellen Vergabeunterlagen zu Anforderungen und Einreichungsbedingungen konsultieren.

Beschreibung

Secondary ion mass spectrometer (SIMS) 1 pc. The objective is to procure a highly sensitive SIMS instrument for depth-profiled chemical analysis of semiconductor materials and structures, offering high depth resolution and high mass resolving power. The system shall enable precise dopant and impurity profiling, as well as accurate determination of layer thickness and homogeneity, with a focus on characterizing advanced III-V and diamond-based device structures and epitaxial layers, including 150 mm substrates, to support process development, quality control and optimization at Fraunhofer IAF.

Amtliche Quelle

Quelle: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Prüfen Sie alle Angaben stets in der amtlichen Bekanntmachung.

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Zuletzt mit TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) abgeglichen vor 1 Monat

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