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Allemagne - Machines à usage général et spécial - Système CMP pour wafers de 100/150 mm (IAF-03) - PR1199438-2050-P

Original Deutschland - Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke - CMP-System für 100/150-mm-Wafer (IAF-03) - PR1199438-2050-P

Attribué Avis d'attribution

Informations clés

Attributaire
Accretech
Acheteur public
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Lieu
Allemagne Freiburg
Procédure
Procédure ouverte Toute entreprise peut remettre une offre, en une seule étape, sans présélection. Entrée complète Au-dessus du seuil européen Un marché assez important pour que les règles européennes s'appliquent et qu'il paraisse sur TED. Entrée complète
Code CPV Le vocabulaire commun de l'UE pour ce qui est acheté : un code à huit chiffres présent dans chaque avis. Entrée complète
42900000 Machines diverses à usage général et à usage spécial
Langue d'origine
Allemand
Source
via TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), vérifié il y a 4 semaines
Numéro de l'avis
589930-2026
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  1. Publié
  2. Attribué en attente

Résumé

Résumé généré automatiquement

Fraunhofer-Gesellschaft, Einkauf B12, a attribué un contrat pour un système CMP de polissage mécanochimique de couches diélectriques telles que l'oxyde de silicium sur des wafers de silicium et de semi-conducteurs III-V de 100 mm et 150 mm, avec nettoyage intégré et détection optique de fin de polissage. Le polissage vise à planariser les surfaces et à améliorer la rugosité afin de permettre ensuite un collage par fusion des wafers III-V avec des wafers de silicium. Le contrat a été attribué à Accretech. Les options comprennent des lignes de drainage séparées pour l'eau DI et les produits chimiques, une interface SECS/GEM et le torque EPD.

Description

CMP-System für 100/150-mm-Wafer (IAF-03) 1 CMP-System zur chemisch-mechanischen Politur dielektrischer Schichten wie Siliziumoxid auf 100-mm- und 150-mm-Si- und III-V-Halbleiterwafern mit integrierter Reinigung und optischer Endpunkterkennung. Ziel des Polierens ist die Planarisierung und Verbesserung der Oberflächenrauheit, um ein anschließendes Wafer-Fusionsbonden von III-V-Halbleitern mit Si-Wafern zu ermöglichen. Option 1: Separate drainage lines for DI water and chemicals Option 2: SECS/GEM interface Option 3: Torque EPD

Source officielle

Source : TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Vérifiez toujours les détails dans l'avis officiel.

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Dernière vérification auprès de TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) il y a 4 semaines

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