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Germania - Macchinari per usi generali e speciali - Sistema CMP per wafer da 100/150 mm (IAF-03) - PR1199438-2050-P

Originale Deutschland - Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke - CMP-System für 100/150-mm-Wafer (IAF-03) - PR1199438-2050-P

Aggiudicata Avviso di aggiudicazione

Dati principali

Aggiudicatario
Accretech
Stazione appaltante
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Dove
Germania Freiburg
Procedura
Procedura aperta Chiunque può presentare un'offerta, in un solo passaggio, senza preselezione. Voce completa Sopra la soglia europea Un appalto abbastanza grande perché si applichino le regole europee e vada pubblicato su TED. Voce completa
Codice CPV Il vocabolario comune dell'UE per l'oggetto dell'acquisto: un codice a otto cifre presente in ogni bando. Voce completa
42900000 Macchinari vari per usi generali e specifici
Lingua originale
Tedesco
Fonte
tramite TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), verificato 4 settimane fa
Numero dell'avviso
589930-2026
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  1. Pubblicata
  2. Aggiudicata in attesa

Sintesi

Sintesi generata automaticamente

Fraunhofer-Gesellschaft, Einkauf B12, ha aggiudicato un contratto per un sistema CMP di lucidatura chimico-meccanica di strati dielettrici come l'ossido di silicio su wafer di silicio e semiconduttori III-V da 100 mm e 150 mm, con pulizia integrata e rilevazione ottica del punto finale. La lucidatura mira a planarizzare le superfici e a migliorare la rugosità per consentire poi la saldatura a fusione dei wafer III-V con wafer di silicio. Il contratto è stato aggiudicato ad Accretech. Le opzioni comprendono linee di drenaggio separate per acqua DI e sostanze chimiche, un'interfaccia SECS/GEM e torque EPD.

Descrizione

CMP-System für 100/150-mm-Wafer (IAF-03) 1 CMP-System zur chemisch-mechanischen Politur dielektrischer Schichten wie Siliziumoxid auf 100-mm- und 150-mm-Si- und III-V-Halbleiterwafern mit integrierter Reinigung und optischer Endpunkterkennung. Ziel des Polierens ist die Planarisierung und Verbesserung der Oberflächenrauheit, um ein anschließendes Wafer-Fusionsbonden von III-V-Halbleitern mit Si-Wafern zu ermöglichen. Option 1: Separate drainage lines for DI water and chemicals Option 2: SECS/GEM interface Option 3: Torque EPD

Fonte ufficiale

Fonte: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

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Ultima verifica su TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) 4 settimane fa

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