Poland - Special-purpose machine tools - Supply of two identical advanced surface grinding systems designed for grinding semiconductor substrates such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC).

PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION Przedmiotem zamówienia jest „Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC).” Zakup dwóch identycznych szlifierek: Wymagania dotyczące specyfikacji szlifierek • Szlifierka zaprojektowana specjalnie do szlifowania wafli półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC). • Szlifierka jednowrzecionowa do obróbki wafli pojedynczo • Możliwość obróbki wafli o średnicy od 25 mm do 150 mm • Możliwość użycia tarcz szlifierskich od dowolnego dostawcy WYMIARY SZLIFIERKI: • Powierzchnia podstawy: mniej niż: 1,5 m (szer.) x 2,2 m (gł.) x 2,5 m (wys.) • Waga: mniej niż: 5 ton PLATFORMA SZLIFUJĄCA: • Sztywność wrzeciona: co najmniej 1 µm/500 N • Moment znamionowy: >22 Nm • Regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej w osi Z z 3-punktowym podparciem • Prędkość posuwu : 5 mm/s • Cięcie: 0,01-(10,0) μm/s • Rozdzielczość dla osi Z: 0,01 μm POMIAR GRUBOŚCI WAFERA: • Funkcja pomiaru grubości elementu obrabianego w czasie rzeczywistym STÓŁ ROBOCZY: • Prędkość obrotowa: minimum 300 obr./min • Obsługiwane rozmiary elementów obrabianych, dostępne stoły robocze: Ø 25,4 mm Ø 49 mm Ø 50,8 mm Ø 101,6 mm • Materiał porowaty: ceramika TARCZA SZLIFIERSKA: • Średnica tarczy szlifierskiej: od 200 mm do 300 mm • Prędkość obrotowa tarczy: minimum 2500 obr./min • Wymagana regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej: Jednostka osi Z (kolumna) z 3-punktowym podparciem • System umożliwiający regulację położenia tarczy szlifierskiej względem stołu próżniowego w celu zapewnienia równoległości • Powtarzalność: 0,5 µm Zamawiający informuje, że projekt, w ramach którego realizowane jest niniejsze zamówienie, współfinansowany jest ze środków Unii Europejskiej, i podlega obowiązkowi zachowania zasady „nieczynienia poważnych szkód” (DNSH), zgodnie z art. 17 Rozporządzenia (UE) 2020/852. W związku z powyższym, Wykonawca zobowiązany jest do zapewnienia, że przedmiot zamówienia: • nie powoduje znaczącej szkody dla celów środowiskowych UE, którymi są: łagodzenie zmian klimatu, adaptacja do zmian klimatu, zrównoważone wykorzystanie zasobów wodnych, gospodarka o obiegu zamkniętym, zapobieganie zanieczyszczeniom oraz ochrona bioróżnorodności i ekosystemów; • nie zawiera substancji zakazanych zgodnie z przepisami REACH i RoHS; • umożliwia energooszczędną eksploatację i ograniczenie powstawania odpadów; • spełnia wymogi w zakresie możliwości odzysku, recyklingu lub bezpiecznej utylizacji po zakończeniu eksploatacji. 1. Na potwierdzenie, że oferowany przedmiot zamówienia jest produkowany zgodnie z zasadą DNSH wykonawca którego oferta została wybrana jako najkorzystniejsza przedstawi: 1.1. deklarację zgodności CE, RoHS, REACH lub równoważne. 1.2. karty charakterystyki (SDS), 1.3. karty katalogowe lub instrukcje zawierające informacje środowiskowe. A w przypadku gdy produkt nie podlega obowiązkowi wystawienia powyższych certyfikatów, deklarację zgodności producenta . Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZ ENGLISH VERSION The subject of the order is the " Delivery of two identical advanced surface grinding systems designed specifically for grinding semiconductor substrates such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC).” Purchase of two identical grinders: Requirements for grinder specifications • Grinder designed specifically for grinding of compound semiconductor wafers such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) • Single spindle grinder to process wafers one at a time • Capable to process wafer diameters from 25mm up to 150mm • Capable to use grind wheel from any major supplier FOOTPRINT: • Footprint Less than 1,5m (W) x 2,2m (D) x 2.5m (H) • Weight: Less than 5 tons GRIND PLATFORM: • Spindle rigidity at least 1µm/500N • Rated torque: >22Nm • Grind wheel tilt adjustable in z-axis w/ 3-point support • Speed Movement：5mm/sec • Cutting：0.01-(10.0)μm/sec • Resolution capability for the Z axis 0.01μm WAFER THICKNESS MEASUREMENT: • real time workpiece thickness measurement function WORK-TABLE: • Table rotation Speed: min. 300 rpm. • Compatible Workpiece size, with work-tables available: - Ø 25,4 mm - Ø 49 mm - Ø 50,8 mm - Ø 101,6 mm • Porous Material: Ceramic GRIND WHEEL: • Grind wheel diameter: 200-300mm • Grind wheel rotation Speed: min. 2500 rpm. • Grind wheel tilt adjustment required: Z-axis unit (column) w/ 3-point support • System to adjust the position of the grinding wheel relative to the vacuum table to ensure parallelism • Repeat Accuracy 0.5µm The Contracting Authority hereby informs that the project under which this contract is being implemented is co-financed by the European Union and is subject to the "no significant harm" principle (DNSH) in accordance with Article 17 of Regulation (EU) 2020/852. Therefore, the Contractor is obligated to ensure that the subject of the contract: • does not cause significant harm to the EU's environmental objectives, which are: climate change mitigation, adaptation to climate change, sustainable use of water resources, circular economy, pollution prevention, and protection of biodiversity and ecosystems; • does not contain substances prohibited under REACH and RoHS regulations; • enables energy-efficient operation and waste reduction; • meets the requirements for recoverability, recyclability, or safe disposal at end-of-life. 1. To confirm that the offered subject of the contract is manufactured in accordance with the DNSH principle, the contractor whose offer is selected as the most advantageous will submit: 1.1. CE, RoHS, REACH declaration of conformity, or equivalent. 1.2. Safety data sheets (SDS), 1.3. Catalog sheets or instructions containing environmental information. And if the product is not subject to the requirement to issue the above certificates, the manufacturer's declaration of confonity.