Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - Increased Throughput Bonder (IZM-02) - PR915564-2590-P

Increased Throughput Bonder (IZM-02) 1 Stück: Increased Throughput Bonder mit hoher Genauigkeit (<3µm) ist notwendig, um die Chiplet-Implementierung im 300mm-Pilotmaßstab zu ermöglichen. Der FC-Bonder sollte Flipchip- (face down) und möglicherweise Die-Attach- (face up) Operationen in flexiblem Großmaßstab bieten, um verschiedene Montageaspekte / Szenarien abzudecken, von kleinen (passiven, Low-End-SoC) bis hin zu großen Chips (High-End-SoC) für die Chiplet-Integration in der Multi-Chip-Heterointegrationsverarbeitung (= verschiedene Chips auf demselben Target-Die) zur Herstellung integrierter Submodule. Zu diesem Zweck sollte der FC-Bonder die folgenden Fähigkeiten bieten: - Flipchip-Betrieb (Face-down), eventuell auch Die-Attach (Face-up) - Bestückungsgenauigkeit von 3 µm für High Denisty FP IOs - Durchsatz von mindestens 100 UPH im vollautomatischen Bestückungszyklus bei genannter Präzision - Substrat Chuck für bis zu 300mm und die Möglichkeit der Verwendung von speziellen Adaptern (bis zu 20mm Dicke) für Multi-SingleDiced Substrate - Zuführung von Source Chips in Waferform (Source Wafer diced on tape, FFC, Hoopring, bis zu 300mm), in Trays/Waffelpacks und Gelpacks (2' und 4'), um Heterointgeration zu gewährleisten. - Source-Chip-Größe von mindestens 500 µm bis 20 mm (Kantenlänge), evtl. auch kleiner und größer - muss Source-Die-Dicke bis 50µm, evtl. bis 20µm verarbeiten können - evtl. Multi-Chip-Verarbeitung, d.h. Platzierung von mehreren und unterschiedlichen Chips auf ein und demselben Target-Die (Multichip / Heterointegration), evtl. mit mehreren Werkzeugen (d.h. möglicherweise Unterstützung von Wafer-Mapping von Quelle und Ziel und Rückverfolgbarkeit des Chips (Quelle-Ziel) - möglicherweise Chip-zu-Substrat-Nivellierung für Präzision von HD FP großen Chips - Platzierungskraftbereich von mindestens 50 g (kleine Chips, wenige IOs) und bis zu 2 kg (große Chips mit hoher IO-Dichte), möglicherweise geringere Kraft und höhere Kräfte - Chip- (Kopf) und Substrat- (Chuck) Heizung für Temperaturprozesse, möglicherweise bis zu 300°C - Fernsteuerung und Routine zur Kalibrierung/Verifizierung der Genauigkeit durch den Bediener werden bevorzugt - möglicherweise ist eine Fluxeinheit für das Eintauchen des Source-Die und die Flüssigkeitsabgabe "nice-to-have" - möglicherweise Vorinspektion und Inspektion nach dem Bonden/Platzieren zur Verifizierung der Prozessgenauigkeit (integriert/in-line oder außerhalb des Bonders) für die Stabilität des Durchsatzes - möglicherweise Bonder mit integrierter Mikroumgebung. Optionen: - Pick&Place @ 150°C , Durchsatz >100 UPH - Es besteht die Möglichkeit, das Gerät mit einem Ionisator auszustatten, wenn ein elektrostatischer Chip am Arm befestigt ist / in der Handhabung ist - Möglichkeit, das Gerät mit einem Ionisator auszustatten, um elektrostatische Aufladung des Substrats zu vermeiden - Plasmavorbehandlung der Bondoberfläche der Chip-Bond-Seite vor dem Bonden - Plasmavorbehandlung der Bondposition - Downlooking@ auf den Chip in der Zwischenstation (für Die Attach Mode) - Fähigkeit, das Gerät mit auswählbaren Chuckareas (d. h. kleinere Zonen als das gesamte Chuck) für einzelne Substrate zu betreiben, wie z. B. mindestens ein Mittelpunktsvakuum - 6 mm (für die Verwendung bestehender proprietärer Bodenadapter für chip-weise Module im Pick-and-place-Verfahren auf dem Substratchuck) - Möglichkeit, das Laserlöten in die Anlage zu integrieren - System zur Begrenzung des Partikeleintrags aus der Umgebung in das Innere der Maschine, z. B. mit einer in das Gerät integrierten FFU - Gesamtverbrauch der Maschine N2 unter 100L/min - Data Logging (Speichern und Abrufen von überwachten Prozessparametern), insbesondere für Prozess-Setups - Wenn ein elektrischer Transformator benötigt wird, sollte er mit dem Gerät geliefert werden - Wenn ein elektrischer Transformator benötigt wird, sollte es möglich sein, diesen außerhalb des Reinraums zu platzieren (z. B. auf einem Reinraumplenum)