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Deutschland - Mikroelektronische Maschinen und Geräte - Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) - PR1097493-3460-P

Attribué Avis d'attribution

Informations clés

Attributaire
Veeco GmbH
Acheteur public
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Lieu
Allemagne Dresden
Procédure
Procédure négociée L'acheteur sélectionne des candidats, puis négocie les offres avant de choisir. Entrée complète Au-dessus du seuil européen Un marché assez important pour que les règles européennes s'appliquent et qu'il paraisse sur TED. Entrée complète
Code CPV Le vocabulaire commun de l'UE pour ce qui est acheté : un code à huit chiffres présent dans chaque avis. Entrée complète
31712100 Machines et appareils microélectroniques
Langue d'origine
Allemand
Source
via TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU), vérifié il y a 1 mois
Numéro de l'avis
326747-2026
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  1. Publié
  2. Attribué en attente

Description

Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) 1x Fully Automated Wafer Cleaning Tool Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten. Das neue Gerät erweitert das Prozessportfolio um verschiedene Reinigungstechnologien zur Entfernung organischer und anorganischer Verunreinigungen für Anwendungen wie die Reinigung von TSVs mit hohem Aspektverhältnis (bis zu 25:1), die Dekontamination der Vorder- und Rückseite für ultrahochdichte BEOL wie Verdrahtungen oder für Stapeltechnologien mit Cu/Cu-Hybridverbindungen mit Strukturgrößen im Sub-µm-Bereich. Die Anforderungen an die Dekontamination und Sauberkeit der Waferoberfläche erfordern eine Partikelkontrolle auf weniger als 1 μm Größe, eine metallische Oberflächenverunreinigung von weniger als 10^9 Atomen/cm^2 und eine Oberflächenrauheit von weniger als 5 Å. Das Gerät ist mit 3D-Waferstapeln mit hoher Verformung/Wölbung kompatibel. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben einen Durchmesser von 200 oder 300 mm und eine Dicke von bis zu 2,5 mm. Vor dem Prozess werden die Wafer in Front Opening Unified Pods (FOUPs) zum Gerät transportiert, die vom Bediener manuell auf die jeweiligen Ladeöffnungen gesetzt werden. Das neue Gerät muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen: • Entladen der vorgesehenen Wafer aus dem FOUP • Wenden der Wafer • Durchführen der Nassprozesse • Entladen der Wafer zurück in ihre Ausgangsposition im FOUP Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein, wie es für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlich ist. Es muss ein Sicherheitsschrank für das Mischen und die Lagerung aller erforderlichen Nasschemikalien vorhanden sein. Optionale Features: - Ausgedünnter Waferdickenbereich von 200 und 300 mm (Si oder Glas): 300 ... 600 µm (LV-Pos 1.19) - Extremer Verzugs- und Wölbungsbereich 1500 .. 2500 µm (LV-Pos 1.23) - Option: Anorganischer Ätzprozess für Metall- und Oxidschichten (LV-Pos 2.22) - Megasonic oder ähnliche Energie als Option (LV-Pos 2.58) - Einzelwafer-Sprühverfahren (LV-Pos 2.59) - Einstellbare Sprühdüsen/Arm zur Optimierung der Ätzgleichmäßigkeit (LV-Pos 2.60) - Optische Endpunkterkennung (LV-Pos 2.61) - Schneller Spin-Wafer-Chuck (einstellbar) bis zu 2000 U/min (LV-Pos 2.62) - Chemikalien: Zweikomponentenmischung und mit CO2 beladenes DI-Wasser (LV-Pos 2.63) - 10-Liter-Innentanks mit Einzel-/Rückgewinnungsmodus (LV-Pos 2.64) - Überlaufschutz (LV-Pos 2.65) - Sicherheitsschrank für Lagerung, Mischung und Nachfüllung der beiden Komponenten (LV-Pos 2.66) - Reines DI-Wasser (LV-Pos 2.67) - Trockenverfahren (LV-Pos 2.68) - 10 x 300 mm Wafer Siliziumoxid-Ätzen ohne Rückstände (Ätzrate > 0,1 µm/min für Siliziumdioxid, Ätzgleichmäßigkeit < 5 % 1 Sigma) (LV-Pos 3.25)

Source officielle

Source : TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Vérifiez toujours les détails dans l'avis officiel.

Dernière vérification auprès de TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) il y a 1 mois

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