Zusammenfassung
Maschinell erstellte ZusammenfassungDas Finnische Technologiezentrum VTT beschaffte eine fortschrittliche Plasmaätz-Clusteranlage zum Ätzen von Metall-, Dielektrikum- und anderen Dünnschichten auf 200 mm Silizium-Wafern aus der Halbleiterindustrie. Die Anlage muss über mindestens vier Prozesskammern verfügen sowie über waferlose Reinigung, einen breiten Leistungsbereich einschließlich Atomic Layer Etching und zweizonige Chuckheizung. Die Vergabe erfolgte als Direktvergabe nach Artikel 40 Abschnitt 2(2) des finnischen Beschaffungsgesetzes (1397/2016), wenn aus technischen Gründen oder zum Schutz eines Ausschließlichkeitsrechts nur ein bestimmter Anbieter die Leistung erbringen kann. Der Auftragswert und der Name des Anbieters werden im Bekanntmachungstext nicht genannt.
Beschreibung
Amtliche Quelle
Quelle: TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)
Prüfen Sie alle Angaben stets in der amtlichen Bekanntmachung.
Zuletzt mit TED - Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU) abgeglichen vor 6 Stunden
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