Allemagne - Diverses machines et équipements à usages spéciaux - Système ALD (diélectrique) (IPMS-CNT06.1) - PR1017835-2480-P

1 Stück ALD System (Dielectric) (IPMS-CNT06.1) Eine Anlage zum Aufbringen von Metallnitriden und dielektrischen Schichten mittels thermischer ALD-Verarbeitung auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm. Details siehe Vergabeunterlagen. Optionale Leistungspositionen: 2.2.1.1.8 Grundkonfiguration ein Swap-Kit für Metallnitridkammer enthalten Ja/Nein 2.2.1.1.10 Grundausstattung Waferrotation in der Prozesskammer für bessere Gleichmäßigkeitswerte verfügbar Ja/Nein 2.2.1.1.11 Grundausstattung Interne Lagerung von Dummy-Wafern/Testwafern "Ja/Nein (wenn dies Teil des Angebots ist, dann lautet der Mindestanforderungsparameter: min. 25 Wafer, aber eine höhere Anzahl von Wafern ist wünschenswert)" 2.2.1.1.12 Grundkonfiguration Wenn keine Lagerung verfügbar ist, bitte garantieren, dass verschiedene Wafertypen (Dummy, Test, Produkt) in einem Durchlauf aus verschiedenen FOUPs/Loadports (Parallelmodus) verarbeitet werden können Ja/Nein 2.2.1.1.13 Grundkonfiguration Das System ist mit einem Notch-Aligner ausgestattet. Dieser verfügt über einen programmierbaren Kerbenwinkel mit einer Genauigkeit von ≤0,5º für die Kerbe und ≤0,1 mm für die Zentrierung. Ja/Nein 2.2.1.1.14 Grundkonfiguration Kühlstation oder vergleichbare Option zur Waferkühlung (z. B. in Loadlock), damit der FOUP keine erhitzten Wafer sieht. Ja/Nein 2.2.1.1.16 Grundausstattung Vorheizstation/Vorheizkammer verfügbar Ja/Nein 2.2.1.1.20 Grundausstattung Eine zusätzliche Verbindung/ein zusätzliches Fenster in der Kammer für In-situ-Messtechnik (z. B. Massenspektroskopie), weitere Details können während der Verhandlungen geklärt werden Ja/Nein 2.2.1.1.21 Grundkonfiguration Zwei zusätzliche Installationsanschlüsse in der Kammer für die Möglichkeit der In-situ-Ellipsometrie, weitere Details können während der Verhandlungen geklärt werden Ja/Nein 2.2.1.1.22 Grundkonfiguration Möglichkeit, dass die Waferrückseite einschließlich der Abschrägung während der Bearbeitung nicht beschichtet wird Ja/Nein 2.2.1.2.5 Kassetten- und Wafer-Spezifikation - Wafermaterial Handhabung von Quarzwafern Ja/Nein 2.2.2.6 Kammer A (Oxidkammer) BKM erforderlich für thermisches ALD von SiO2 und Ta2O5 mit metallorganischen Vorläufern, einschließlich Vorschlägen für Vorläufer, die im Lieferumfang enthalten sind Ja/Nein 2.2.2.13 Kammer A (Oxidkammer) Oxidationsmittel für ALD mit einer zusätzlichen Gasleitung für H2O; ja/nein 2.2.2.14 Kammer A (Oxidkammer) Möglichkeit, Prozesse mit O2 und O3 in einem Prozess zu kombinieren/zu verwenden (z. B. dotiertes HfO2 --> Dotierstoff läuft mit O2, HfO2 läuft mit O3) Ja/Nein 2.2.2.17 Kammer A (Oxidkammer) Option zur parallelen Bearbeitung von Wafern "Ja/Nein (falls verfügbar, bitte angeben; falls Teil des Angebots, dann Mindestanforderung: min. 2 Wafer)" 2.2.3.7 Kammer B (Metallnitridkammer) BKM für thermisches ALD von ZrN und WN mit metallorganischen oder Halogenvorläufern, einschließlich Vorschlägen für Vorläufer, die im Lieferumfang enthalten sind Ja/Nein; (falls im Angebot enthalten: eine höhere Anzahl von Prozessen ist wünschenswert) 2.2.3.14 Kammer B (Metallnitridkammer) Option für weitere Prozessgase (z. B. H2, SiH4) "Ja/Nein (falls im Angebot enthalten: weitere Gasanschlüsse gewünscht)" 2.2.3.15 Kammer B (Metallnitridkammer) Option für zusätzliche Nitriergase (Tertbutylhydrazin) "Ja/Nein (falls im Angebot enthalten: weitere Gasanschlüsse gewünscht)" 2.2.3.18 Kammer B (Metallnitridkammer) Option für In-situ-Reinigung "falls verfügbar, bitte angeben; Ja/Nein" 2.2.3.19 Kammer B (Metallnitridkammer) Option für parallele Bearbeitung von Wafern "falls verfügbar, bitte angeben, min. 2 Wafer; ja/nein" 2.2.5.1 Subtools Pumpen sind im Angebot enthalten Ja/Nein, Edwards-Typ 2.2.5.2 Subtools Kühler sind im Angebot enthalten Ja/Nein 2.2.5.3 Subtools Ozonisator ist im Angebot enthalten Ja/Nein 2.2.5.4 Subtools Reiniger ist im Angebot enthalten Ja/Nein 2.2.12.2 Schnittstellengeräte Touchscreen bevorzugt Ja/Nein 3.1.3 Prozessübersicht Kammer B: BKM für thermisches ALD von ZrN, HfN oder anderen Nitriden einschließlich Vorschlägen für Vorläufer Ja/Nein 4.1 Quelleninspektion Bitte bieten Sie eine Quelleninspektion an, falls verfügbar Ja/Nein 4.2.5 Installation Optionale Prozessgase inkl. Gasleitungen für Kammer B "H2, H2O, NF3; ja/nein" 4.6.10 Prozessabnahmetests Prozesstest: Kammer B - 10 nm MoN "Ja/Nein; (Wenn dies Teil des Angebots ist, gilt folgende Mindestanforderung: Das System muss die Anforderungen der Prozessspezifikationen und Prozessstabilität für mindestens 25 x 300 mm planare Bare-Si-Wafer erfüllen --> Partikel, Dickenuniformität, Wölbungsmessung, Schichtwiderstand 3 x 200 mm Bare-Si-Wafer in Pocketwafers --> Dickenhomogenität, Schichtwiderstand Eine volle Kammerladung strukturierter 3D-Wafer (siehe Kapitel 3.3 )--> Analyse der Dickenkonformität) 4.12.1 Erweiterte Gewährleistung Das Angebot umfasst eine erweiterte Gewährleistung von weiteren 12 Monaten. Ja/Nein 5.1.2 Anforderungspunkte, die angeboten werden müssen Verbrauchsmaterialien (Lampen, Ventile usw., Kammer-Kits) Ja/Nein 5.1.3 Anforderungspunkte, die angeboten werden müssen Offline-Rezepturverwaltungssystem Ja/Nein